Everspin半導(dǎo)體為環(huán)境苛刻的應(yīng)用，如軍事、航空航天、工業(yè)和汽車系統(tǒng)等提供非易失性存儲(chǔ)技術(shù)。Angstrom Aerospace在其磁力計(jì)子系統(tǒng)中使用Everspin的溫度范圍更大的4Mbit，該系統(tǒng)將被搭載在日本的一顆研究衛(wèi)星發(fā)射進(jìn)入太空。
 
在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的可靠性和持久性方面，同類產(chǎn)品無(wú)法與Everspin的MRAM產(chǎn)品相比， Everspin的4mbit MRAM器件取代了SpriteSat的Angstrom模塊中的閃存和以電池為電源的SRAM。能夠在衛(wèi)星研發(fā)工作的不同階段重新配置關(guān)鍵程序和路線定義，這是一項(xiàng)非常了不起的優(yōu)勢(shì)。
 
Angstrom Aerospace之所以選擇Everspin的4Mbit MRAM器件，是因?yàn)樗狭吮姸鄡?yōu)點(diǎn)，如非易失性內(nèi)存、擴(kuò)展的溫度操作、耐力持久以及長(zhǎng)時(shí)間數(shù)據(jù)保留（即使在斷電的情況下）。MRAM能夠在一塊內(nèi)存上保存程序數(shù)據(jù)和FPGA配置數(shù)據(jù)，讓Angstrom Aerospace將所有存儲(chǔ)需求縮減到一個(gè)芯片上，從而降低了主板區(qū)域。同時(shí)MRAM存儲(chǔ)的靈活性也使得系統(tǒng)能夠在太空中進(jìn)行重新配置。
 
MRAM溫度范圍的擴(kuò)大為惡劣環(huán)境中的系統(tǒng)設(shè)計(jì)（如TAMU）提供了獨(dú)特的高溫和高可靠性，MRAM的優(yōu)勢(shì)還延伸到運(yùn)輸和工業(yè)市場(chǎng)，在這一領(lǐng)域，Everspin正在與那些需要大量快速且經(jīng)濟(jì)高效的內(nèi)存的開(kāi)發(fā)人員合作，這些內(nèi)存是非常理想的非易失性內(nèi)存，可進(jìn)行大量讀寫(xiě)循環(huán)。
 
除了Angstrom Aerospace的MRAM部署外，航空航天和國(guó)防領(lǐng)域內(nèi)的一些世界領(lǐng)先OEM的專業(yè)組件設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)和制造商e2v也宣布使用Everspin的MR2A16A產(chǎn)品。該公司已經(jīng)發(fā)布了一個(gè)可靠性擴(kuò)展版本，該版本在整個(gè)軍事溫度范圍都能以百分百的性能水平操作，可以很好地滿足航空電子、國(guó)防和航空航天應(yīng)用的要求。同時(shí)霍尼韋爾公司簽署協(xié)議，許可MRAM技術(shù)在軍事和航天應(yīng)用中使用，直到今天，他們繼續(xù)圍繞這一技術(shù)構(gòu)建產(chǎn)品。
 
MR2A16A提供SRAM兼容的35 ns讀/寫(xiě)時(shí)序，具有無(wú)限的耐久性。數(shù)據(jù)在20年以上始終是非易失性的。低壓禁止電路可自動(dòng)在斷電時(shí)保護(hù)數(shù)據(jù)，以防止在不符合規(guī)定的電壓情況下進(jìn)行寫(xiě)操作。對(duì)于必須快速永久存儲(chǔ)和檢索關(guān)鍵數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用，MR2A16A是理想的存儲(chǔ)器解決方案。MR2A16A在很寬的溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
 
Everspin MR2A16A 4Mbit 產(chǎn)品是世界上的第一款商用MRAM器件。由于很多顧客都在尋求用一粒單片取代閃存、SRAM和EEPROM的替代方案，消除SRAM的電池備份，Everspin的MRAM產(chǎn)品已迅速成為首選解決方案。它們提供了在苛刻環(huán)境中順利完成這一任務(wù)所需的耐力、速度和可靠性。Everspin代理英尚微電子可為用戶提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持及應(yīng)用解決方案。

MR2A16A型號(hào)表

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	MOQ(pcs)/ T&R
4Mb	256Kx16	MR2A16AYS35	44-TSOP	3.3V	Commercial	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	Industrial	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16AVYS35	44-TSOP2	3.3V	Extended	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16AMYS35	44-TSOP2	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16AMA35	48-BGA	3.3V	Commercial	2,000
4Mb	256Kx16	MR2A16ACMA35	48-BGA	3.3V	Industrial	2,000
4Mb	256Kx16	MR2A16AVMA35	48-BGA	3.3V	Extended	2,000
4Mb	256Kx16	MR2A16AVYS35R	44-TSOP2	3.3v	Extended	1500
4Mb	256Kx16	MR2A16AVMA35R	48-BGA	3.3v	Extended	2000
4Mb	256Kx16	MR2A16ACMA35R	48-BGA	3.3v	Industrial	1500
4Mb	256Kx16	MR2A16ACYS35R	44-TSOP2	3.3v	Industrial	2000
4Mb	256Kx16	MR2A16AYS35R	44-TSOP2	3.3v	Commercial	1500
4Mb	256Kx16	MR2A16AMA35R	48-BGA	3.3v	Commercial	2000
4Mb	256Kx16	MR2A16AMYS35R	44-TSOP2	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	1500

本文關(guān)鍵詞：MRAM    MR2A16A

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