磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM)和集成磁(Integrated MagneTIc)產(chǎn)品的領(lǐng)導(dǎo)廠商Everspin科技公司推出一款并行MRAM芯片產(chǎn)品，型號(hào)為：MR256DL08BMA45，該器件沒(méi)有寫(xiě)入延遲，時(shí)鐘速度高達(dá)40mhz，本質(zhì)上具有無(wú)限耐用性以及超過(guò)20年的數(shù)據(jù)保存。該ic采用標(biāo)準(zhǔn)并行總線接口，工作電壓為2.7~3.6v，典型睡眠電流為3ua。器件采用44-TSOP標(biāo)準(zhǔn)封裝，工作溫度為-40℃ to +125℃。是一款屬于商業(yè)級(jí)產(chǎn)品，可以在溫度條件嚴(yán)苛的條件下工作，保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失的特性。
MRAM具有與標(biāo)準(zhǔn)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）類(lèi)似的性能特征，同時(shí)還具有非易失性存儲(chǔ)器的持久性，這意味著如果從系統(tǒng)中移除電源，其不會(huì)丟失其電荷或數(shù)據(jù)。這一特性使MRAM適用于大量嵌入式應(yīng)用，如需要性能和持久性的汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用。
以下是EVERSPIN并口MRAM的型號(hào)：
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Density
|
Org. | Part Number | Pkg. | Voltage | Temp |
| 256Kb | 32Kx8 | MR256A08BYS35 | 44-TSOP | 3.3V | 0℃ to +70℃ |
| 256Kb | 32Kx8 | MR256A08BYS35 | 44-TSOP | 3.3V | 0℃ to +70℃ |
| 256Kb | 32Kx8 | MR256A08BMA35 | 48-BGA | 3.3V | 0℃ to +70℃ |
| 256Kb | 32Kx8 | MR256D08BMA45 | 48-BGA | 3.3VDD, 1.8IO | 0℃ to +70℃ |
| 256Kb | 32Kx8 | MR256DL08BMA45 | 48-BGA | 2.7VDD min, 1.8IO | 0℃ to +70℃ |
| 256Kb | 32Kx8 | MR256A08BCMA35 | 48-BGA | 3.3V | -40℃ to +85℃ |
| 256Kb | 32Kx8 | MR256A08BCYS35 | 44-TSOP | 3.3V | -40℃ to +85℃ |
本文關(guān)鍵詞：Everspin
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