盡管現(xiàn)代FPGA包含內(nèi)部存儲(chǔ)器，但可用存儲(chǔ)器的數(shù)量始終比專用存儲(chǔ)器芯片的存儲(chǔ)器數(shù)量級(jí)低幾個(gè)數(shù)量級(jí)。因此許多FPGA設(shè)計(jì)人員在其FPGA上附加某種類型的存儲(chǔ)器也就不足為奇了。由于其高速和低成本，SDRAM是非常流行的存儲(chǔ)器。它們不像靜態(tài)存儲(chǔ)器那樣容易控制，因此經(jīng)常使用SDRAM控制器。
 
FPGA器件屬于專用集成電路中的一種半定制電路，是可編程的邏輯列陣，能夠有效的解決原有的器件門電路數(shù)較少的問題。FPGA的基本結(jié)構(gòu)包括可編程輸入輸出單元，可配置邏輯塊，數(shù)字時(shí)鐘管理模塊，嵌入式塊RAM，布線資源，內(nèi)嵌專用硬核，底層內(nèi)嵌功能單元。由于FPGA具有布線資源豐富，可重復(fù)編程和集成度高，投資較低的特點(diǎn)，在數(shù)字電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。
 
對(duì)于控制器，針對(duì)的可能是最簡(jiǎn)單的SDRAM：一款可用于Xilinx FPGA或Altera FPGA中的32位DDR4 SDRAM。如Kintex Ultrascale FPGA中的型號(hào)Kintex7可支持32位DDR4 SDRAM,主要應(yīng)用于在通信，雷達(dá)，信號(hào)處理，IC驗(yàn)證等高端領(lǐng)域。
 
32位 DDR4 SDRAM特征

•密度
-8Gb
•組織
-32M字×32位×8組
-無鉛/RoHS
•電源
-VDD=VDDQ=1.14V-1.26V
-VPP=2.375V–2.75V
•數(shù)據(jù)速率：
-3200Mbps/2933Mbps/2666Mbps/2400Mbps/
2133Mbps/1866Mbps/1600Mbps
•接口：偽漏極開路（POD）
•爆破長(zhǎng)度（BL）：爆破（BC）為8和4
•預(yù)充電：每個(gè)突發(fā)訪問自動(dòng)預(yù)充電選項(xiàng)
•刷新：自動(dòng)刷新，自刷新
•刷新周期
-平均刷新周期0℃≤TC≤+85℃時(shí)為7.8μs+85℃ •工作箱溫度范圍
-商業(yè)：TC=0℃至+95℃
-工業(yè)：TC=-40℃至+95℃
•雙數(shù)據(jù)速率架構(gòu)：每個(gè)時(shí)鐘周期兩次數(shù)據(jù)傳輸
•高速數(shù)據(jù)傳輸通過8位預(yù)取流水線架構(gòu)實(shí)現(xiàn)
•雙向差分?jǐn)?shù)據(jù)選通（DQS_t和DQS_c）與數(shù)據(jù)一起發(fā)送/接收，以便在接收器處捕獲數(shù)據(jù)
•每個(gè)DRAM尋址能力（PDA）
每個(gè)DRAM可以分別設(shè)置不同的模式寄存器值，并可以單獨(dú)調(diào)整。
•細(xì)粒度刷新
2x，4x模式用于較小的tRFC
•最大的省電模式，功耗最低，無需內(nèi)部刷新
•可編程的部分陣列自刷新（PASR）
•RESET_n引腳用于上電序列和復(fù)位功能
 
電氣條件
絕對(duì)最大額定值

 

表1：絕對(duì)最大額定值

 
注意：
1. 大于絕對(duì)最大額定值列出的壓力可能會(huì)導(dǎo)致設(shè)備永久損壞。這僅是額定壓力，并不暗示在這些或任何其他條件（超出本規(guī)范的操作部分所指示的條件）下器件的功能運(yùn)行。長(zhǎng)時(shí)間暴露在絕對(duì)最大額定值條件下可能會(huì)影響可靠性。
 
2. 存儲(chǔ)溫度是DRAM中心/頂側(cè)的外殼表面溫度。
 
3. VDD和VDDQ始終必須在300mV之內(nèi)。當(dāng)VDD和VDDQ小于500mV時(shí)，VREFCA必須不大于0.6×VDDQ；VREFCA可以等于或小于300mV。
 
4.VPP必須始終等于或大于VDD/VDDQ。
 
工作溫度條件
 

表2：工作溫度條件
 

8Gb 32位 DDR4 SDRAM

Capacity	Organization	Part Number	Voltage	Package	Speed	Temperature
8Gb	256Mx32	UD408G5S1AFC-24D0	1.14V – 1.26V	144-ball FCBGA	DDR4-2400 CL17-17-17	0℃ to +95 ℃
8Gb	256Mx32	UD408G5S1AFC-29H0	1.14V – 1.26V	144-ball FCBGA	DDR4-2933 CL21-21-21	0℃ to +95 ℃
8Gb	256Mx32	UD408G5S1AFC-26F0	1.14V – 1.26V	144-ball FCBGA	DDR4-2666 CL19-19-19	0℃ to +95 ℃
8Gb	256Mx32	UD408G5S1AFC-32J0	1.14V – 1.26V	144-ball FCBGA	DDR4-3200 CL22-22-22	0℃ to +95 ℃
8Gb	256Mx32	UD408G5S1AFI-24D0	1.14V – 1.26V	144-ball FCBGA	DDR4-2400 CL17-17-17	-40℃ to +95℃
8Gb	256Mx32	UD408G5S1AFI-29H0	1.14V – 1.26V	144-ball FCBGA	DDR4-2933 CL21-21-21	-40℃ to +95℃
8Gb	256Mx32	UD408G5S1AFI-26F0	1.14V – 1.26V	144-ball FCBGA	DDR4-2666 CL19-19-19	-40℃ to +95℃
8Gb	256Mx32	UD408G5S1AFI-32J0	1.14V – 1.26V	144-ball FCBGA	DDR4-3200 CL22-22-22	-40℃ to +95℃

本文關(guān)鍵詞： 32位 DDR4 SDRAM

上一篇文章：太空應(yīng)用中多功能性工業(yè)級(jí)Everspin 4Mbit MRAM

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