但是，中國的DRAM制造商正在開發(fā)22nm器件作為起點。IC Insights公司的McClean表示：“這項技術(shù)不會接近行業(yè)前沿。它有市場， 但很小。”

 

中國可以在DRAM上得到一些助推。政府可以強制要求中國的OEM必須在其系統(tǒng)中采用一定比例的國產(chǎn)DRAM。但McClean表示：“如果你讓中國的電子系統(tǒng)生產(chǎn)商使用不具備競爭力的存儲技術(shù)，那么就會讓它們在市場中處于不利地位。”

 

中國的Innotron公司攻堅克難，正準備推出首款22nm移動DRAM。Innotron位于中國東部的安徽省省會合肥市，是由兆易創(chuàng)新和合肥市政府組建的合資企業(yè)。

 

據(jù)IC Insights稱，Innotron將在2018年第一季度將設(shè)備移動到一座新的300mm晶圓廠。總投資將達到72億美元，總產(chǎn)能為125,000 wpm。

 

許多人期待著Innotron能夠從兆易創(chuàng)新那里學習到一些先進技術(shù)，兆易創(chuàng)新是一家flash存儲器無晶圓供應(yīng)商。前段時間，兆易創(chuàng)新宣布收購專業(yè)DRAM制造商芯成半導體有限公司（ISSI）的計劃，ISSI由中國的一個投資財團Uphill Investment所擁有。但是兆易創(chuàng)新和ISSI的交易突然終止了。

 

與此同時，在2016年，福建晉華集成電路有限公司（JHICC）在中國南部的福建省晉江市的一座300mm晶圓廠開始動工，耗資達56.5億美元。JHICC的投資者包括包括福建電子信息公司和晉江能源投資公司。

 

今年第三季度，JHICC計劃投產(chǎn)22nm專業(yè)DRAM。它從與聯(lián)電的授權(quán)/研發(fā)聯(lián)盟中獲得技術(shù)。而聯(lián)電不參與JHICC的運營。

 

但是，JHICC遇到了一些法律問題。據(jù)起訴書說，去年12月，美光公司對JHICC和聯(lián)電提起了訴訟，指控其竊取了美光的技術(shù)。隨后，在1月份，聯(lián)電向美光提出了反訴，聲稱美光侵犯了聯(lián)電的專利。目前，訴訟仍在進行中。

 

IP問題只是其中一個挑戰(zhàn)。在一個艱難的市場中，中國的存儲器制造商也面臨著激烈的競爭。IC Insights公司的McClean表示：“我認為這可能和中國在代工行業(yè)的做法差不多，他們有10%的市場份額。或許中國將獲得10%的存儲器市場，我不認為會是零。但我認為三星、美光和海力士短期內(nèi)不會損失大量的市場份額。”

本文關(guān)鍵詞：DRAM    晶圓

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