在設計的過程中，我們在使用單片機STM32F407如果遇到數據內存不夠使用，需要進行外擴SRAM存儲器芯片，那應該如何設置，
可以采用IS62WV51216（EM681FV16BU-55LF）的SRAM存儲器芯片作為存儲的外擴芯片，
首先實現 IS62WV51216（EM681FV16BU-55LF）的訪問，需要對 FSMC進行哪些配置。
以上是大概步驟的詮釋：
步驟如下：
 

1. 使能 FSMC 時鐘，并配置 FSMC 相關的 IO 及其時鐘使能。

 
 在使用FSMC前，我們要先將其時鐘開啟。然后把 FSMC_D0~15，FSMCA0~18 等相關IO接口，通通改為復用輸出的配置，最后使能各 IO 組的時鐘。
 
 使能 FSMC 時鐘的方法：
 
 RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE);
 
2. 設置 FSMC BANK1 區域 3。
 
FSMC BANK1 區域 3已經包括設置區域 3 的SRAM存儲器的位寬、工作模式和讀寫時序等等。我們啟動使用模式 A、16 位寬，并讓讀寫共同使用一個時序寄存器。
使用的函數是：
 void FSMC_NORSRAMInit(FSMC_NORSRAMInitTypeDef* FSMC_NORSRAMInitStruct)
 
3. 使能 BANK1 區域 3。
 
使用的函數是：
 void FSMC_NORSRAMCmd(uint32_t FSMC_Bank, FunctionalState NewState)；
 
 
以上三個步驟，我們就完成了對FSMC的配置設置，設置完畢后就可以訪問IS62WV51216（EM681FV16BU-55LF），需要注意的一點，我們選擇 BANK1 的區域3使用，因此 HADDR[27:26]=10，而外部內存的首地址設置為 0X68000000。
 
在單片機設計de的過程中我們可以遇到不同容量的型號考慮選擇，以下是同類型型號的選擇，可以作為參考

Density	Org.	Part number	Speed	Package Type	Voltage
16Mb	x16	EM6168FV16B-45LF	45ns	BGA 48B 8x10x1.0	2.7~3.6V
16Mb	x16	EM6168FV16B-55LF	55ns	BGA 48B 8x10x1.0	2.7~3.6V
16Mb	x16	EM6169FV16B-45LF	45ns	BGA 48B 8x10x1.0	2.7~3.6V
16Mb	x16	EM6169FV16B-55LF	55ns	BGA 48B 8x10x1.0	2.7~3.6V
8Mb	x8	EM680FV8BU-45LF	45ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
8Mb	x8	EM680FV8BU-55LF	55ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
8Mb	x8	EM681FV8BU-45LF	45ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
8Mb	x16	EM681FV8BU-55LF	55ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
8Mb	x16	EM681FV16BU-45LF	45ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
8Mb	x16	EM681FV16BU-55LF	55ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
8Mb	x8	EM680FV8B-45LF	45ns	BGA 48B 8x10x1.0	2.7~3.6V
8Mb	x8	EM680FV8B-55LF	55ns	BGA 48B 8x10x1.0	2.7~3.6V
8Mb	x16	EM680FV16B-45LF	45ns	BGA 48B 8x10x1.0	2.7~3.6V
8Mb	x16	EM680FV16B-55LF	55ns	BGA 48B 8x10x1.0	2.7~3.6V
8Mb	x16	EM681FV16B-45LF	45ns	BGA 48B 8x10x1.0	2.7~3.6V
8Mb	x16	EM681FV16B-55LF	55ns	BGA 48B 8x10x1.0	2.7~3.6V
8Mb	x8	EM681FV8B-45LF	45ns	BGA 48B 8x10x1.0	2.7~3.6V
8Mb	x8	EM681FV8B-55LF	55ns	BGA 48B 8x10x1.0	2.7~3.6V
4Mb	x16	EM641FV16F-45LF	45ns	BGA 48B 6x7x1.0	2.7~3.6V
4Mb	x16	EM640FV16F-55LF	55ns	BGA 48B 6x7x1.0	2.7~3.6V
4Mb	x8	EM641FT8S-55LF	55ns	STSOPI 32L 8x13.4	5V
4Mb	x8	EM641FV8FS-45LF	45ns	STSOPI 32L 8x13.4	2.7~3.6V
4Mb	x8	EM641FV8FS-55LF	55ns	STSOPI 32L 8x13.4	2.7~3.6V
4Mb	x16	EM641FV16FU-45LF	45ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
4Mb	x16	EM641FV16FU-55LF	55ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
4Mb	x16	EM643FV16FU-45LF	45ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
4Mb	x16	EM643FV16FU-55LF	55ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
4Mb	x16	EM643FV16FU-70LF	70ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
4Mb	x16	EM640FV16F-45LF	45ns	BGA 48B 6x7x1.0	2.7~3.6V
4Mb	x16	EM646FV16FU-45LF	45ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
4Mb	x16	EM646FV16FU-55LF	55ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
2Mb	x16	EM620FV16BU-55LF	55ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
2MB	x16	EM620FV16BU-45LF	45ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
2Mb	x8	EM620FV8BS-70LF	70ns	STSOPI 32L 8x13.4	2.7~3.6V
2Mb	x8	EM620FV8BS-45LF	45ns	STSOPI 32L 8x13.4	2.7~3.6V
2Mb	x8	EM620FV8BS-55LF	55ns	STSOPI 32L 8x13.4	2.7~3.6V
2Mb	x16	EM620FV16B-45LF	45ns	BGA 48B 6x7x1.0	2.7~3.6V
2Mb	x16	EM620FV16B-55LF	55ns	BGA 48B 6x7x1.0	2.7~3.6V
2Mb	x16	EM621FV16BU-55LF	55ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
2Mb	x16	EM621FV16BU-45LF	45ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
2Mb	x16	EM621FV16B-45LF	45ns	BGA 48B 6x7x1.0	2.7~3.6V
2Mb	x16	EM621FV16B-55LF	55ns	BGA 48B 6x7x1.0	2.7~3.6V
2Mb	x8	EM621FV8BS-55LF	55ns	STSOPI 32L 8x13.4	2.7~3.6V
2Mb	x8	EM621FV8BS-45LF	45ns	STSOPI 32L 8x13.4	2.7~3.6V
1Mb	x8	EM610FV8S-45LF	45ns	STSOPI 32L 8x13.4	2.7~3.6V
1Mb	x8	EM610FV8S-55LF	55ns	STSOPI 32L 8x13.4	2.7~3.6V
1Mb	x16	EM610FV16U-45LF	45ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
1Mb	x16	EM610FV16U-55LF	55ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
1Mb	x8	EM610FV8T-45LF	45ns	TSOPI 32L 8x20	2.7~3.6V
1Mb	x8	EM610FV8T-55LF	55ns	TSOPI 32L 8x20	2.7~3.6V
1Mb	x8	EM610FV8T-70LF	70ns	TSOPI 32L 8x20	2.7~3.6V
1Mb	x16	EM611FV16U-45LF	45ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
1Mb	x16	EM611FV16U-55LF	55ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V
1Mb	x16	EM611FV16U-70LF	70ns	TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2	2.7~3.6V

 

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深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。